RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Comparez
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Note globale
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
32
Autour de 22% latence réduite
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.4
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.3
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
16.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2239
3726
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5469-052.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link