RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Comparez
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Note globale
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
34
Autour de 26% latence réduite
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.3
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
34
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
20.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2239
3343
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5469-052.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link