RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Comparez
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Note globale
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
27
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
25
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
7.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2163
2104
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Kingston 9905469-107.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link