RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Comparez
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Note globale
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
73
Autour de -115% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
4.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
34
Vitesse de lecture, GB/s
6.1
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
4.7
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1021
3178
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link