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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Comparez
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Note globale
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
73
Autour de -103% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
4.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
36
Vitesse de lecture, GB/s
6.1
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
4.7
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1021
2920
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112S6BFR6C
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
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