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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Comparez
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Note globale
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
73
Autour de -161% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
4.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
28
Vitesse de lecture, GB/s
6.1
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
4.7
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1021
2354
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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