RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Comparez
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Note globale
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
73
Autour de -135% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.5
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
4.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
31
Vitesse de lecture, GB/s
6.1
12.5
Vitesse d'écriture, GB/s
4.7
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1021
2361
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link