RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Comparez
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Note globale
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Note globale
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
73
Autour de -135% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.5
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
4.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
8500
Autour de 3.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
31
Vitesse de lecture, GB/s
6.1
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
4.7
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
25600
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1021
3649
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Mushkin 991586 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M3 78T6553BZ0-KCC 512MB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link