RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Comparez
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Note globale
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
71
73
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.5
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
4.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
73
71
Vitesse de lecture, GB/s
6.1
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
4.7
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1021
1863
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link