RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-084.A01LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Comparez
Kingston 9905471-084.A01LF 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Note globale
Kingston 9905471-084.A01LF 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905471-084.A01LF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
45
Autour de 42% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.9
6.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.4
6.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905471-084.A01LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
45
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
6.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.4
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2167
1499
Kingston 9905471-084.A01LF 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9905471-084.A01LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link