RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Comparez
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Note globale
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
31
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
31
Vitesse de lecture, GB/s
14.6
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2207
3125
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Corsair CMSX8GX3M2B1600C9 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link