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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Comparez
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Note globale
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
45
Autour de 42% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
6.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
6.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
45
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
6.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2277
1499
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB Comparaison des RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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