RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Comparez
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
51
Autour de 49% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
51
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2277
2687
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link