RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Comparez
Kingston 9905702-010.A00G 8GB vs Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Note globale
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Note globale
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
75
Autour de 60% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
75
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
11.1
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2792
1717
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link