RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Comparez
Kingston 9905702-010.A00G 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Note globale
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
30
Autour de -30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
23
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
11.1
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2792
3127
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link