RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Comparez
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Note globale
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
42
Autour de -40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
30
Vitesse de lecture, GB/s
6.4
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
6.7
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1632
2947
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link