RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Comparez
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB vs SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Note globale
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Note globale
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
42
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
36
Vitesse de lecture, GB/s
6.4
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
6.7
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1632
2489
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link