RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Comparez
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB vs Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Note globale
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Note globale
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
36
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
36
Vitesse de lecture, GB/s
10.3
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2342
3313
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link