RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Comparez
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Note globale
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
38
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
9.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
38
Vitesse de lecture, GB/s
9.1
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.9
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2279
3005
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9965516-071.A00LF 16GB
Kingston 9965516-001.B00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB Comparaison des RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link