RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Comparez
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Note globale
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Note globale
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
66
Autour de 59% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
66
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2196
1912
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link