RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Comparez
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Note globale
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
83
Autour de 67% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
83
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2196
1663
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link