RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Comparez
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Note globale
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
32
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2196
2974
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link