RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Comparez
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Note globale
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
27
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.4
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
26
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2196
3648
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link