RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Comparez
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Note globale
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
50
Autour de 46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
50
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
12.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2196
2326
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link