RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Comparez
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Note globale
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
51
Autour de 47% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
51
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2196
2570
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link