RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Comparez
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Note globale
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Note globale
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
76
Autour de 61% latence réduite
Raisons de considérer
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.7
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
76
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
6.4
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1927
1718
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB Comparaison des RAM
Super Talent SUPERTALENT 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link