RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Comparez
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Note globale
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
69
Autour de -103% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
3.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
34
Vitesse de lecture, GB/s
6.4
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
3.7
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1129
2616
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology C 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link