RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Comparez
Kingston 9965662-016.A00G 16GB vs Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Note globale
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Note globale
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
39
Autour de -5% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
37
Vitesse de lecture, GB/s
7.9
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
2422
Kingston 9965662-016.A00G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Elpida EBJ20UF8BCF0-DJ-F 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link