RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Comparez
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB vs Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Note globale
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Note globale
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
28
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2344
3007
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB Comparaison des RAM
JUHOR JHC1600U1108JY 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link