RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Comparez
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Note globale
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
66
Autour de 62% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
66
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2187
1877
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston HP536726-H41-ELCUW 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link