RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Comparez
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Note globale
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Note globale
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
45
Autour de -61% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1537
3367
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link