RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Comparez
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Note globale
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
42
Autour de -31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.6
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.4
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.2
22.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
16.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2063
3837
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link