RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Comparez
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Note globale
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Note globale
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,036.1
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
75
Autour de -178% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,986.4
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,036.1
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
714
2918
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link