RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Comparez
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Note globale
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,036.1
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
75
Autour de -178% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,986.4
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,036.1
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
714
3288
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link