RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Comparez
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Note globale
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
21
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,036.1
17.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
75
Autour de -213% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,986.4
21.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,036.1
17.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
714
4006
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link