RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Comparez
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Note globale
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Note globale
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
75
Autour de -241% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
2,036.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
22
Vitesse de lecture, GB/s
3,986.4
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,036.1
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
714
2611
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link