RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Comparez
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Note globale
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Note globale
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,036.1
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
75
Autour de -97% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
38
Vitesse de lecture, GB/s
3,986.4
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,036.1
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
714
3147
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link