RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Comparez
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Note globale
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
20.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,036.1
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
75
Autour de -121% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
34
Vitesse de lecture, GB/s
3,986.4
20.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,036.1
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
714
3343
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link