RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Comparez
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Note globale
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
72
Autour de -167% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
4.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.2
2.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
72
27
Vitesse de lecture, GB/s
4.9
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2.9
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
776
2173
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5316-033.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link