RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Comparez
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Note globale
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
32
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.5
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.1
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2324
3379
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology ST51264BA1339.16FM 4GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Mushkin 996902 2GB
OCZ OCZ3F1600LV2G 2GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link