RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Comparez
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Note globale
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
42
Autour de -68% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
25
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2095
2704
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link