RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Comparez
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Note globale
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
41
Autour de -58% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.7
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
26
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
19.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2039
3832
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link