RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Comparez
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Note globale
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
26
Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
22
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2118
3115
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5458-005.A01LF 4GB
Kingston 99U5458-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link