RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Comparez
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Note globale
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Note globale
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
62
Autour de 35% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.5
7.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
62
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2201
1808
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston 9905584-015.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link