RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Comparez
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Note globale
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Note globale
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
40
Autour de -74% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
23
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2233
3171
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link