RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Comparez
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Note globale
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
25
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
23
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1995
3498
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Comparaison des RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link