RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Comparez
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Note globale
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Note globale
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
25
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
23
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1995
3211
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link