RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Comparez
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Note globale
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Note globale
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
46
Autour de 46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
11
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
46
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
11.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1995
2481
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link