RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Comparez
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Note globale
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
72
Autour de 64% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
13
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
72
Vitesse de lecture, GB/s
13.0
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2030
1817
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link