RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Comparez
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Note globale
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Note globale
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
35
Autour de 23% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
35
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2032
2773
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link